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  Vishay CBA3750CLAKWS薄膜二進(jìn)制MOS電容器 2024-11-06 09:09:59

  Vishay CBA系列MOS電容器有兩種總電容版本，電容以二進(jìn)制增量在0.25 pF - 15 pF間配置，提供多種選擇。該電容器可線焊，采用特定介質(zhì)和基板，尺寸小，用于微波電路混合封裝。其電氣規(guī)格涵蓋工作電壓、損耗因數(shù)、Q值、溫度系數(shù)和工作溫度范圍等。

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  MICRON DDR3 SDRAM 2021-06-22 17:11:18

  MICRON? DDR3 SDRAM提供比以往的DDR和DDR2SDRAM更多的帶寬。除了優(yōu)良的性能指標(biāo)外，MICRON DDR3還具備較低的工作電壓范圍。其結(jié)果可能是在消耗相同或更少的系統(tǒng)功率的同時，具有更高的帶寬。